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              東莞市正雄研磨機械有限公司

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              各類清洗除油研磨拋光助劑-正雄專用生產廠家

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              各類清洗除油研磨拋光助劑-正雄專用生產廠家

              發布日期:2019-08-31 00:00 來源:http://www.duoxizhe.com 點擊:

              拋光液是一種不含任何硫、磷、氯添加劑的水溶性拋光劑,具有良好的去油污,防銹,清洗和增光性能,并能使金屬制品超過原有的光澤。拋光液本產品性能穩定、無毒,對環境零污染等作用,光液使用方法:包括棘輪扳手、開口扳手,批咀、套筒扳手,六角扳手,螺絲刀等,鉛錫合金、鋅合金等金屬產品經過研磨以后,再使用拋光劑配合振動研磨光飾機,滾桶式研磨光式機進行拋光;1拋光劑投放量為(根據不同產品的大小,光飾機的大小和各公司的產品光亮度要求進行適當配置),2:拋光時間:根據產品的狀態來定。3、拋光液完成后用清水清洗一次并且烘干即可。  

              化學機械拋光液

                這兩個概念主要出現在半導體加工過程中,很早的半導體基片(襯底片)拋光沿用機械拋光、例如氧化鎂、氧化鋯拋光等,但是得到的晶片表面損傷是及其嚴重的。直到60年代末,一種新的拋光技術——化學機械拋光技術(CMP Chemical Mechanical Polishing )取代了舊的方法。CMP技術綜合了化學和機械拋光的優勢:單純的化學拋光,拋光速率較快,表面光潔度高,損傷低,完整性好,但表面平整度和平行度差,拋光后表面一致性差;單純的機械拋光表面一致性好,表面平整度高,但表面光潔度差,損傷層深?;瘜W機械拋光可以獲得較為完好的表面,又可以得到較高的拋光速率,得到的平整度比其他方法高兩個數量級,是目前能夠實現全局平面化的有效方法。

              拋光液步驟

                依據機械加工原理、半導體材料工程學、物力化學多相反應多相催化理論、表面工程學、半導體化學基礎理論等,對硅單晶片化學機械拋光(CMP)機理、動力學控制過程和影響因素研究標明,化學機械拋光是一個復雜的多相反應,它存在著兩個動力學過程:  ?。?)拋光液首先使吸附在拋光布上的拋光液中的氧化劑、催化劑等與襯底片表面的硅原子在表面進行氧化還原的動力學過程。這是化學反應的主體。  ?。?)拋光表面反應物脫離硅單晶表面,即解吸過程使未反應的硅單晶重新裸露出來的動力學過程。它是控制拋光速率的另一個重要過程。   硅片的化學機械拋光過程是以化學反應為主的機械拋光過程,要獲得質量好的拋光片,應該使拋光過程中的化學腐蝕作用與機械磨削作用達到一種平衡。如果化學腐蝕作用大于機械拋光作用,則拋光片表面產生腐蝕坑、桔皮狀波紋。如果機械磨削作用大于化學腐蝕作用,則表面產生高損傷層。

              拋光液產品

                硅材料拋光液

                 藍寶石拋光液 

                 砷化鎵拋光液 

                鈮酸鋰拋光液 

                鍺拋光液 

                集成電路多次銅布線拋光液 

                集成電路阻擋層拋光液

              拋光液應用:

              1. LED行業 

                目前LED芯片主要采用的襯底材料是藍寶石,在加工過程中需要對其進行減薄和拋光。藍寶石的硬度較高,普通磨料難以對其進行加工。在用金剛石研磨液對藍寶石襯底表面進行減薄和粗磨后,表面不可避免的有一些或大或小的劃痕。CMP拋光液利用“軟磨硬”的原理很好的實現了藍寶石表面的精密拋光。隨著LED行業的快速發展,聚晶金剛石研磨液及二氧化硅溶膠拋光液的需求也與日俱增。

                 2.半導體行業

                CMP技術還廣泛的應用于集成電路(IC)和超大規模集成電路中(ULSI)對基體材料硅晶片的拋光。隨著半導體工業的急速發展,對拋光技術提出了新的要求,傳統的拋光技術(如:基于淀積技術的選擇淀積、濺射等)雖然也可以提供“光滑”的表面,但卻都是局部平面化技術,不能做到全局平面化,而化學機械拋光技術解決了這個問題,它是目前的可以在整個硅圓晶片上全方面平坦化的工藝技術。


              相關標簽:研磨石

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